Hall8686/8888变温霍尔效应测试仪
产品概述
HALL8686/8888型变温霍尔效应测量系统结合霍尔效应及方法四点测量分析薄膜材料的电阻率，载子浓度（N Type & P TYPE）及迁移率等相关参数信息，温度范围分别为：77K-423K和77K-623K。可进行变温操控，人性化的软件设计及模块化组件，性能卓越，操作方便；薄膜材料包括Si，Ge，等各类半导体材料，HALL系列霍尔效应测试仪可应用于科学研究，教育以及产品测试等研发应用。
应用范围:
研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数
规 格:
1 sample size:5mm x 5mm----15mm x15mm
样品尺寸: 5mm x 5mm ---15mm x15mm (可定制组件)
Sample thickness：~3mm
厚度：~3mm
2 Measurement Temperature: 77K~423K(HALL8686型)
77K~623K(HALL8888型)
测试温度: 77K~423K(HALL8686型)
77K~623K(HALL8888型)
3 Measurement Material: Semiconductors material such as
Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)
测试材质:半导体类材质、如：
Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)
4 Magnet Flux Density: 0.55 Tesla
磁场强度: 0.55 Tesla (视磁铁间距不同而有所差异)
5 Magbnet Stability: ±2% over 1 years
稳定性: ±2% （超过一年）
6 Uniformity: ± 1% over 30mm diameter from center
均匀度：± 1%(从中心点至30mm直径圆范围内)
7 Pole Gap: 20 mm
磁极间隙：20毫米
8 Input current:: 1nA~20mA
输入电流：1nA~20mA
9 Input voltage range: 1μV to 10V
输入电压范围：1μV ~10V
10 Hall voltage range: 10uV to 2000mV
霍尔电压范围: 10uV to 2000mV
11 Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107
电阻率 (Ω.㎝): 10-5 to 107
12 Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107
迁移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 107
13 Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021
载流子浓度(1/cm-3): 107 ~ 1021
14 Dimensions(L/W/H):
Main Frame：W400*H360*D200mm ~10kg
Magnetic Kit：W140*H110mm*D114mm ~5kg
尺寸：
主机 W400*H360*D200mm ~10kg
磁装置 W140*H110mm*D114mm ~5kg
注：自2014年起，普西工业(PRECISION SYSTEMS INDUSTRIAL LIMITED)作为台湾品牌3S霍尔效应测试仪产品大陆地区唯一独家代理商，为国内用户提供售前技术讲解，产品演示及售后技术服务.
销售邮箱：sales@ipa-chian.cn
销售电话：010－56212963 13581657381
3S霍尔效应测试仪产品在内地有着坚实的用户基础，与众多高校和研究所合作；为使我们的产品能够更多的为用户提供实验测试服务，公司推出第二代霍尔效应测试仪产品，在原产品基础上进一步升级产品性能，主要体现在磁场强度、稳定性、变温型温控精度，特殊高阻抗值材料的测试以及设备的便携性等方面，同时升级了USB接入端口，可以与PC计算机及笔记本电脑连接，解决了采集卡接入的缺点，具有传输速率快，便携性强等特点；在软件方面做到操作简便，功能性强，精准的数据分析采集；
在此感谢所有用户的支持与信任以及所提出的宝贵意见，我公司将为进一步的完善产品性能更为努力
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