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    产品介绍

霍尔效应测试仪H8800


霍尔效应测试仪H8800
产品型号: Hall8800
产品品牌: 3s
产品价格: 面议
所 在 地: 北京 丰台区
发布日期: 2014-06-12

详细说明

HALL8800型产品概述
HALL8800型霍尔效应测量系统主要为结合霍尔效应及van der pauw方法四点测量分析薄膜材料的电阻率,载子浓度(N Type & P TYPE)及迁移率等相关参数信息,温度范围在室温(300K)及77K环境下测试;另外HALL8686型及HALL8888型可提供变温环境测试,温度范围分别为:77K-423K/77K-623K。薄膜材料包括Si,Ge,sige,sic,gaas,ingaas,inp,gan,zno,graphene等各类半导体材料,HALL系列霍尔效应测试仪可应用于科学研究,教育以及产品测试等研发应用。
产品应用范围:
研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数
产品配置规格:
1  sample size:5mm x5mm----15mm x15mm
   样品尺寸: 5mm x5mm ---15mm x15mm (可定制组件)
   Sample thickness:~3mm
   厚度:~3mm
2  Measurement Temperature: room temperature 、77K(option)
   测试温度: 室温~300K (可以选配77K低温组件)
3  Measurement Material: Semiconductors material such as 
   Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)
   测试材质:半导体类材质、如:
   Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)
4  Magnet Flux Density: 0.48 Tesla~0.8Tesla 
   磁场强度: 0.48 Tesla~0.8Tesla(视磁铁间距不同而有所差异)
5  Magbnet Stability: ±2% over 1 years
   稳定性: ±2% (超过一年)
6  Uniformity: ± 1% over 30mm diameter from center
   均匀度:± 1%(从中心点至30mm直径圆范围内)
7  Pole Gap: 20 mm
   磁极间隙:20毫米
8  Output current:: 1nA~20mA
   输出电流:1nA~20mA
9  Input voltage range: 1μV  to 10V
   输入电压范围:1μV ~10V
10  Hall voltage range: 10uV to 2000mV
   霍尔电压范围: 10uV to 2000mV
11  Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107
   电阻率 (?.㎝): 10-5 to 107
12  Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107
   迁移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 107
13  Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021
    载流子浓度(1/cm-3): 107 ~ 1021
14  Dimensions(L/W/H): 390mm*360mm*120mm
   尺寸:390mm*360mm*120mm
15  Weight:6.2kg
  重量:6.2kg
3S霍尔效应测试仪产品在内地有着坚实的用户基础,与众多高校和研究所合作;为使我们的产品能够更多的为用户提供实验测试服务,公司推出第二代霍尔效应测试仪产品,在原产品基础上进一步升级产品性能,主要体现在磁场强度、稳定性、变温型温控精度,特殊高阻抗值材料的测试以及设备的便携性等方面,同时升级了USB接入端口,可以与PC计算机及笔记本电脑连接,解决了采集卡接入的缺点,具有传输速率快,便携性强等特点;在软件方面做到操作简便,功能性强,精准的数据分析采集;
在此感谢所有用户的支持与信任以及所提出的宝贵意见,我公司将为进一步的完善产品性能更为努力.自2014年起,普西工业(PRECISION SYSTEMS INDUSTRIAL LIMITED)作为台湾品牌3S霍尔效应测试仪产品大陆地区唯一独家代理商,为国内用户提供售前技术讲解,产品演示及售后技术服务;
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