HALL8800型产品概述
HALL8800型霍尔效应测量系统主要为结合霍尔效应及van der pauw方法四点测量分析薄膜材料的电阻率，载子浓度（N Type & P TYPE）及迁移率等相关参数信息，温度范围在室温(300K)及77K环境下测试；另外HALL8686型及HALL8888型可提供变温环境测试，温度范围分别为：77K-423K/77K-623K。薄膜材料包括Si，Ge，sige,sic,gaas,ingaas,inp,gan,zno,graphene等各类半导体材料，HALL系列霍尔效应测试仪可应用于科学研究，教育以及产品测试等研发应用。
产品应用范围:
研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数
产品配置规格:
1 sample size:5mm x5mm----15mm x15mm
样品尺寸: 5mm x5mm ---15mm x15mm (可定制组件)
Sample thickness：~3mm
厚度：~3mm
2 Measurement Temperature: room temperature 、77K(option)
测试温度: 室温~300K (可以选配77K低温组件)
3 Measurement Material: Semiconductors material such as
Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)
测试材质:半导体类材质、如：
Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)
4 Magnet Flux Density: 0.48 Tesla～0.8Tesla
磁场强度: 0.48 Tesla～0.8Tesla(视磁铁间距不同而有所差异)
5 Magbnet Stability: ±2% over 1 years
稳定性: ±2% （超过一年）
6 Uniformity: ± 1% over 30mm diameter from center
均匀度：± 1%(从中心点至30mm直径圆范围内)
7 Pole Gap: 20 mm
磁极间隙：20毫米
8 Output current:: 1nA~20mA
输出电流：1nA~20mA
9 Input voltage range: 1μV to 10V
输入电压范围：1μV ~10V
10 Hall voltage range: 10uV to 2000mV
霍尔电压范围: 10uV to 2000mV
11 Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107
电阻率 (?.㎝): 10-5 to 107
12 Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107
迁移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 107
13 Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021
载流子浓度(1/cm-3): 107 ~ 1021
14 Dimensions(L/W/H): 390mm*360mm*120mm
尺寸：390mm*360mm*120mm
15 Weight:6.2kg
重量：6.2kg
3S霍尔效应测试仪产品在内地有着坚实的用户基础，与众多高校和研究所合作；为使我们的产品能够更多的为用户提供实验测试服务，公司推出第二代霍尔效应测试仪产品，在原产品基础上进一步升级产品性能，主要体现在磁场强度、稳定性、变温型温控精度，特殊高阻抗值材料的测试以及设备的便携性等方面，同时升级了USB接入端口，可以与PC计算机及笔记本电脑连接，解决了采集卡接入的缺点，具有传输速率快，便携性强等特点；在软件方面做到操作简便，功能性强，精准的数据分析采集；
在此感谢所有用户的支持与信任以及所提出的宝贵意见，我公司将为进一步的完善产品性能更为努力.自2014年起，普西工业(PRECISION SYSTEMS INDUSTRIAL LIMITED)作为台湾品牌3S霍尔效应测试仪产品大陆地区唯一独家代理商，为国内用户提供售前技术讲解，产品演示及售后技术服务；
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