侧装式液态汽体专用磁翻板液位计:富士通FRAM(铁电存储器)

更新时间：2026-09-27 23:48:32

供应侧装式液态汽体专用磁翻板液位计

TQ-UHZ-C2系列侧装式液态汽体专用磁翻板液位计是我公司专门根据易汽化工液体设计的。适用于液化气介质的液位、界位测量，经过特殊设计用挡杆将液位计主导管内腔分成气化室和测量室,当液位计内液化气受温度影响,内部汽化而产品气泡时,气泡会顺着气化室往上冒,而不会进入测量影响磁浮子工作,有效的阻止了因气泡造成磁浮子跳动,使液位计在液体介质大量气化时,也能可靠的工作。
用户可根据工程需要，配合远传变送器使用，可实现就地数字显示，以及输出4~20mA的标准远传电信号，以配合记录仪表，或工业过程控制的需要。也可以配合磁性控制开关或接近开关等使用，对液位监控报警或对进液出液设备进行控制
适合容器内液体的液位、界位的测量。清晰的指示出液位的高度,显示直观醒目,指示器与贮罐完全隔离,使用安全、设计合理、结构简单、安装方便可靠、性能稳定、使用寿命长、维修费用低、便于安装维护等优点。
●　基本技术参数
测量范围：200…….～6000?（超过6000mm的或运输条件不允许超过长度的液位计可采购分段制造）
显示精度：±10mm；
工作压力：1.0、1.6、2.5MPa；(我公司最高压力可做25Mpa, 详见高温高压型仪表)
介质温度： -20～120℃；
介质密度：≥.0.45g/cm3；
介质密度差：≥.0.15g/cm3（测量界位）　　　介质粘度： ≤0.4Pa•S；
过程连接：DN20/25　PN1.0　(执行标准HG20592~20635-97)，如需其它标准可按客户要求制造。
接液材质：1Cr18Ni9Ti、304SS、316SS、316L等等（按介质化学性质及使用温度压力选择）；
浮子材质：1Cr18Ni9Ti、304SS、316SS、316L、钛等。
订货选项表
液位计
类型 □ 就地显示　□ 输出4-20mA　□ 上、下限报警（开关形式：常开或常闭、保持型、防爆型）
□ 输出4-20mA及上、下限报警　□ HART 协议　　□ RS485总线
工作温度 □ -20~80℃　 □ -20~120℃ （我公司最高可做450℃，为国内最优产品，详见高温液位计）
测量范围 □ L=　　　　　　　 ?（按客户要求：200…….～6000?）
测量介质 □　　　　　　　　　（按客户要求）
介质密度 □　　　　　　　　 g/cm3（按客户提供：≥.0.5g/cm3）
工作压力 □ ≤1.0Mpa　 □ ≤1.6Mpa　□　≤2.5Mpa　 □ 其它　　 Mpa （我公司最高可做到25 Mpa ）
过程连接 □ DN20　PN1.0　□ DN25 PN1.0　　□ 其它:DN　　PN　　　 (按客户要求)
其它要求 □ 防爆(隔爆型)　□ 夹套 (蒸汽夹套、水循环夹套、真空夹套、电夹套) □ 其它　　　　　　　　　　
北京铁强科技发展有限公司自主生产磁翻板液位计（基本型、远传型、防腐型、夹套型、高温高压型、）、浮球液位计（开关）、钢带液位计、浮标液位计、雷达液位计（导波、喇叭口）、玻璃管液位计（普通、石英、双色等）、玻璃板液位计（普通、双色、石英）、投入式液位计（静压式）、电容液位计(开关)、防爆浮球液位开关、音叉物位开关、超声波液位计等液物位仪表及液物位开关。我公司可根据您不同工况，为您选择性价比更好的产品。以上产品均为我公司自己生产产品，欢迎来我司参观指导！期待与您的合作！
联系人：霍焕立　（销售经理）
电　　话：13810561721
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QQ: 745660611　 M S N: weiyixinqing1987@hotmail.com供应富士通FRAM(铁电存储器)供应Cirrus/TI的AD转换芯片供应RS232/485通讯接口芯片新品CA砂浆漏供应：HCH7102智能温湿度控制器-产地□株洲□醴陵供应线材切割试验机

供应富士通FRAM(铁电存储器)

富士通微电子（上海）有限公司今天宣布可提供富士通微电子2兆位（Mbit）的FRAM存储芯片，这是世界上批量生产的最大容量FRAM。富士通MB85R2001和MB5R2002非易失性存储器具有高速数据写入、低功耗并可提供大量写周期等特征。它们是汽车导航系统、多功能打印机、测量仪表及其它使用非易失性存储器来存储各种参数、记录设备操作条件并安全保存信息的高端设备的理想选择。

　　　　FRAM的高速数据写入和大量可用写周期使得其可以作在办公设备中存储计数或参数、记录各种事项之用。FRAM有100亿个读/写周期，这相当于以每秒写入30次的速率连续写入10年。FRAM还可以在不使用电池的情况下存储数据达10年以上。在如应用于仪表等设备的过程中，富士通FRAM写机制确保即使在临时中断电源时，也可将数据高速写入FRAM，因此不致丢失有用数据。

　　　　MB85R2001的配置是256 K字 x 8位；MB85R2002的配置是128K字 x 16位。这两种类型的读访问周期均为100纳秒（ns），读/写周期为150ns。操作电压为3-3.6V。
富士通微电子（上海）有限公司系统LSI产品市场部副总监郑国威先生表示：“FRAM技术非常适用于要求大量写周期、低功耗和高速数据写入的设备。这些新FRAM改进了功能，能提供更大的存储容量，以满足新型汽车、仪表及其它高级设计的要求。新型FRAM还具备富士通1MbitFRAM的电气特性，只需附加连接一个地址即可轻易移植到更高容量的版本。”

　　　　富士通是FRAM开发的先驱，从1999年开始批量生产，已经在世界各地销售5亿多的芯片，其中包括离散存储芯片和带嵌入式FRAM存储器的芯片。由于对FRAM存储器的需求量不断增长，富士通决定将存储容量翻倍，开发并生产了MV85R2001和MB85R2002。与电池供电的静态随机存取存储器（SRAM）相比，FRAM无需使用电池，简化了生产工艺，免除了使用富士通FRAM时电池更换和产品维护的难题。与富士通的所有其它FRAM产品类似，MB85R2001和MB85R2002减少了材料的浪费，有利于环境保护。

　　　　新型2Mbit FRAM产品具有与当前生产的富士通1Mbit FRAM产品（MB85R1001和MB85R1002）相同的电气特性和TSOP-48数据包。只需附加连接一个地址，即可移植到2Mbit产品上。因此，在同一个印刷电路板上，根据所需的存储容量，我们可以选择使用1Mbit或2Mbit的FRAM。
新型FRAM现提供48针TSOP，价格可具体咨询。