单晶硅多晶硅电阻率测试仪/四探针电阻率测试仪:四探针电阻率测试仪/单晶硅分选仪/单晶硅电阻率测试仪

更新时间：2026-09-26 20:46:12

供应单晶硅多晶硅电阻率测试仪/四探针电阻率测试仪

SG-VI型四探针电阻率测试仪是用来测量硅晶块、晶片、碎片料、米粒料、头尾料、埚底料、边皮料等材料方块电阻的小型仪器。是生产线上大批量选料的理想仪器，具有简便的比较功能，操作方便。

本仪器按照半导体材料电阻率的国际及国家标准测试方法有关规定设计，它主要由电器测量部份（主机）及四探针探头组成。测试电流由高精宽的恒流源提供，随时可进行校准，以确保电阻率测量的准确度。

（1）测量范围：
　　　　可测量电阻率：0.1～1999Ω*cm。

适合测量各种厚度型状的硅料

（2）恒流源：
　　　　输出电流：0.01～1mA连续可调，误差?±0.5%。

　　恒流精度：各档均优于±0.1%

　（3）直流数字电压表；
　测量范围：0.1～199.9mv　　灵敏度：100μv　

准确度：0.2%（±2个字）

　（4）供电电源：
AC：　220V ±10%（保护隔离）　　 50/60HZ　　

功率2W

　（5）四探针探头；

　a.钨钢探针　　　　　　　

　b.间距1±0.01mm　　

c.针尖绝缘电阻≥100mΩ　　

d.机械游移率?1.0%　　　　

e.探针压力 12-16牛顿（总力）

（6）使用环境：
　　　　　温度23±2℃，　　　　相对湿度≤80%　

无较强的电场干扰　　　无强光直接照射

(7) 使用方法；

　 a.　使用仪器前将电源线、测试笔联接线与主机联接好，电源线插头插入～220V座插后，开启背板上的电源开关，探针头压在被测单晶上，右边的表显示从1、4探针流入单晶的测量电流，左边的表显示电阻率或2、3探针间的电位差。电流大小通过旋转前面板右上方的电位器旋钮加以调节。

　　　 b.　校准设备：测低阻（电阻率≤49.9Ω*cm）时，按下仪器背面切换按钮，厚度小于3.98mm的，取与要备测试硅材料厚度相同的硅材料标准样块校准电阻率测试仪，测试厚度大于3.98mm的硅材料可取厚度大于3.98mm的任一标准样块校准电阻率测试仪。测高阻（电阻率49.9≥Ω*cm）时，按下切换按钮复位即可。

　　　 c.　测试: 用四探针接触硅材料，以探针压下三分之二为准，待仪器显示数字稳定即可.
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供应四探针电阻率测试仪/单晶硅分选仪/单晶硅电阻率测试仪

SG-VII型四探针电阻率测试仪

　　　　　

SG-VII型四探针电阻率测试仪是用来测量母合金、晶块、晶片、碎片料、米粒料、头尾料、埚底料、边皮料等材料方块电阻的小型仪器。是生产线上大批量选料的理想仪器，具有简便的比较功能，操作方便。

本仪器按照半导体材料电阻率的国际及国家标准测试方法有关规定设计，它主要由电器测量部份（主机）及四探针探头组成(需要时可配测试台)。样品测试电流由高精宽的恒流源提供，随时可进行校准，以确保电阻率测量的准确度。对0.0001～1.9999Ω*cm标准样片的测量误差不超过±5%。

（1）测量范围：
　　　可测量电阻率：　　0.0001～1.9999Ω*cm。

最大电阻测量误差（按JJG508-87进行）：≤±5%

（2）恒流源：
　　　　输出电流： 10mA～100mA连续可调，误差?±0.5%。

　　恒流精度：各档均优于±0.1%　

（3）供电电源：
　AC：　220V ±10%（保护隔离）　　

　　　　　　　 50/60HZ　　　　

功率5W

（4）四探针探头；

　a.钨钢探针　　　　　　　　　　

　b.间距1±0.01mm　　

c.针尖绝缘电阻≥100mΩ　　　　　

d.机械游移率?1.0%　　　　

e.探针压力 12-16牛顿（总力）

（5）使用环境：
　　　　温度23±2℃　　　　　相对湿度≤80%　

无较强的电场干扰　　　无强光直接照射

（6）仪器大小：26cm*10cm*26cm(宽*高*深)

（7）使用方法；

　　a.　使用仪器前将电源线、测试笔联接线与主机联接好，电源线插头插入～220V座插后，开启背板上的电源开关，此时前面板上的数字表、发光二极管都会亮起来。探针头压在被测单晶上，右边的表显示从1、4探针流入单晶的测量电流，左边的表显示电阻率或2、3探针间的电位差，电流大小通过旋转前面板右上方的电位器旋钮加以调节。

　　　　b.　校准设备：用样块校准设备。

　　　　c.　测试: 用四探针接触硅材料，以探针压下三分之二为准，待仪器显示数字稳定即可.