 |
产品型号： | F-JTDG1110 |
| 产品品牌： | 北京方式 | |
| 产品价格： | 面议 | |
| 所 在 地： | 北京 朝阳区 | |
| 发布日期： | 2013-10-29 | |
 |
||
详细说明
15、F-JTDG1110晶体的电光效应
Electro-optic effect of crystal (Pockels effect)
产品介绍
实验内容及相关科目：
观察会聚偏振光经过LiNbO3晶体后形成的干涉图形，比较不同电压条件下的差异，理解单轴晶体与双轴晶体的区别。
观察在不同电压条件下的输出光的偏振态，理解泡克耳斯效应的作用机理。
测量半波电压，确定Δn与E的线性关系，绘出光的调制曲线。
用正弦电信号对晶体进行调制，实现电信号的光传输，理解工作点对调制、传输过程的影响。
外加音频信号，实验音频信号的光传输以重现，了解光通讯中信号外调制的原理和方法。
仪器特点：
采用半导体激光器作为光源（650nm4mW）。
晶体的通光面积为5×5mm2
最大驱动电压Vmax≥1600V使现象更加清晰、完整。
可观察在电场作用下LN晶体由一个单轴晶体变化为双轴晶体的过程。
设备成套性：
光学实验导轨、半导体激光器、扩束镜、起偏器、检偏器、1/4波片、LN晶体附件（含三维调整架）、激光功率指示计、音频信号源、示波器（自备）等。
技术指标
光学实验导轨800mm。
实验主机最大驱动电压Vmax≥1600V
半导体激光器650nm, 4mW。
LN晶体附件，三维可调，通光面积：5*5mm2。
二维可调光电二极管探头：调整范围:±2.5mm.
二维可调扩束镜：25倍，调制范围：±2.5mm.
激光功率指示计：三位半数字表头，量程：200μW, 2mW, 20mW, 200mW，可调档。最小分辨率0.1u W。